电子束蒸发镀膜系统

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设备用途

本设备用于制备各类高熔点金属膜、介质膜、化合物膜、导电薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等,广泛应用于大专院校、科研机构对薄膜材料的科研及小批量制备。用于镀制各种单层膜、多层膜。可镀各种硬质膜、金属膜。主要用于制备纳米器件、有机光电器件的金属电极,以制备用于生长纳米材料的催化剂薄膜层。
主要技术指标
真空指标
极限真空度:≤5x10-5Pa (经烘烤除气后);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;
系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,45分钟可达到6x10-4 Pa;
真空室
真空室为U型箱体活开门结构,尺寸为500mm×500mm×600mm,四壁水道冷却,壁挂防污板,选用优质不锈钢材料制造。
样品尺寸
基片尺寸:可放置Φ4英寸基片,1片;基片加热最高温度600℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制,基片可连续回转,转速3~30转/分。
电子枪(1~2套)
270°E型电子枪及高压电源,电子枪功率0~6kW或8kW可调,水冷式坩埚,四穴坩埚,每个容量为11ml。
膜厚仪
石英晶体震荡膜厚仪。
真空获得及测量
分子泵+机械泵,数显复合真空计(皮拉尼规+电离规)
气路
200SCCM质量流量控制器、充气阀RF16、进气截止阀、混气室、管路、接头等;共1路;充气阀D6,管路、接头等;共1路(解除真空充氮气)