设备用途:
用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等;
主要技术指标
|
|
真空指标
|
极限真空度:≤6.67x10-6 Pa (经烘烤除气后);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;
系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,20分钟可达到5x10-3 Pa;
激光入射口到地面的距离为1200mm;
|
真空室
|
球型真空室尺寸Ф450mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封;
|
旋转靶台组件
|
每次可以装四块靶材,靶材尺寸:Φ60mm和Φ25mm;
每块靶材可实现自转,转速5~60转/分,连续可调,由电机驱动磁力耦合机构控制;靶位公转换位机构,由电机驱动磁耦合机构控制;靶材屏蔽罩将4块靶材屏蔽,每次只有一个靶材露出溅射成膜,以避免靶材之间的交叉污染;
|
抗氧化基片加热台
|
基片尺寸:可放置φ2″基片;基片加热最高温度 1000℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制,采用抗氧化材料(SIC)作加热器;
基片可连续回转,转速5~60转/分,电机驱动磁耦合机构控制;
基片与靶台之间距离30~90mm可调,由腔外手动波纹管调节机构控制
|
激光束扫描控制系统
|
电动
|
真空获得及测量
|
分子泵+机械泵,数显复合真空计(皮拉尼规+电离规)
|
气路
|
一路进气;气体质量流量控制器。
|
控制系统
|
手动或自动
|
RHEED
|
可选,电子加速电压:0-30KV
|
水冷机组
|
可选
|
准分子激光器
|
可选,波长: 248nm;频率: 20HZ;脉冲能量: 400 m」
|
质谱仪
|
可选,1-100质量数
|
进样室
|
可选
|